硒化钼纳米线的制备和光学特性研究开题报告

1. 研究目的与意义

过渡金属二卤代物(tmds)( mx2；m=w，mo；x=s，se，te)包含一类大的二维层状材料(2dlms)，在催化、储能、干润滑、微电子和光电子等领域有着广泛的应用。近年来，由于其在单层结构中从间接带隙半导体到直接带隙半导体的独特转变，对二维(2d) tmds的分离进行了重要的研究。这些原子般薄的纳米片对新型电子/光电器件和化学传感器特别引人注目。虽然有许多关于合成双卤代烃硫化物家族(mose2和ws2)的单层和少数层纳米片的报告，但硒化物家族(mose2和ws2)的合成和表征仍处于探索阶段。

研究目的：

基于晶体各向异性的化学气相沉积法(cvd)是目前制备mose2纳米片的一种很有吸引力的方法，因而通过化学气相沉积的方法，在sio2/si衬底上合成了晶体质量较好的单层mose2纳米线,在其基础上探究硒化钼纳米线的光学特性，用于制备超薄、超快逻辑器件与光电子器件。

2. 研究内容和预期目标

研究内容：

通过查阅文献资料，全面地了解硒化钼纳米线的制备方法和光电特性。本论文将利用化学气相沉积方法制备硒化钼纳米线，并采用原子力显微镜和x射线表征样品结构和表面形貌，并利用紫外分光光度计研究样品的吸收特性；最后利用霍尔效应和i-v测试仪分析硒化钼纳米线的表面电学特性和硒化钼纳米线／si异质结的接触特性以及其中电子的运输特性。

预期目标：

3. 研究的方法与步骤

研究方法：

(1)、使用化学气相沉积法（cvd）制备硒化钼纳米线。

(2)、采用原子力显微镜和x射线表征样品结构和表面形貌。

4. 参考文献

[1] novoselov k s, geim a k, morozovs v. electric field effect in atomically thin carbonfilms[j].science,2004,306(5296):666-669

[2] huang, x., yin, z., wu, s. etal. graphene-based materials: synthesis, characterization, properties, and applications[j].small,2011,7(14):1876-1902.

[3] novoselov k s, geim a k, morozovs v. two- dimensional gas of massless dirac fermions ingraphene[j].nature,2005,438(7065):197-200

5. 计划与进度安排

第七学期

1.15—16周2022年12月10日-12月19日：初步了解论文的研究内容，与老师交流沟通；

第八学期