4H-SiC的瞬态吸收光谱研究开题报告

1. 研究目的与意义

研究背景：

随着现代先进科学技术的不断发展，对耐高温、抗辐射等在恶劣环境工作的高性能光电子器件的需求日益迫切，而传统半导体器件的发展已接近其应用极限，尤其在高频、高温和高功率应用领域，传统半导体技术已显现出诸多局限性。

碳化硅（sic）具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、抗辐射性能力强、化学稳定性好等优良的物理化学性质，作为第三代半导体材料，满足在极端电子条件下的性能需求，因此获得越来越多的关注并得到迅速发展，将有可能代替硅材料，被广泛应用于现代半导体器件设备中。

2. 研究内容和预期目标

研究内容：

1. 了解sic材料的载流子动力学研究方法及进展；

2. 分析不同掺杂4h-sic在带间激发下的瞬态吸收光谱特性；

3. 研究的方法与步骤

研究方法：利用泵浦探测技术及飞秒瞬态吸收获得所需数据，运用matlab软件编程，对问题进行处理；利用origin作简单的数据分析及拟合。

步骤：

（1）阅读老师给的相关文献并且翻译有关英文资料，了解sic材料的发展现状，以及瞬态光谱研究进展，确定研究方向和内容。

4. 参考文献

【1】liaugaudas g, dargis d, kwasnicki p, et al. determinationof carrier lifetime and diffusion length in al-doped 4h–sic epilayers by time-resolved optical techniques[j]. journal of physics d:appliedphysics, 2014, 48(2): 025103.

【2】ajev p, gudelis v, jaraiūnas k, et al. fast and slow carrier recombination transients in highly excited 4h–and 3c–sic crystals at room temperature[j]. journal of applied physics, 2010, 108(2): 023705.

【3】ajev p, jaraiūnas k. temperature-and excitation-dependent carrier diffusivity and recombination rate in 4h-sic[j]. journal of physics d: applied physics, 2013, 46(26): 265304.

5. 计划与进度安排

(1) 2022-11-25～2022-02-23

复习激光原理和半导体物理的知识；学习使用基本的matlab命令；学习如何用origin作简单的数据分析和数据处理；

(2) 2022-02-24～2022-03-08