氮化硅薄膜刻蚀研究开题报告

1. 研究目的与意义

氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优异的光学性能，钝化性能和机械性能。在微电子、光电器件和材料表面改性等领域都有广泛应用，在应用中需要利用对薄膜进行图形化。

刻蚀是在硅片上复制所需图形的最后图形转移的工艺步骤,是微机械加工中最关键的工艺之一,直接决定着器件的性能和成品率。干法刻蚀的各向异性可以实现细微图形的转换,满足越来越小的尺寸要求,已取代湿法刻蚀成为最主要的刻蚀方式。其中,反应离子刻蚀因其具有较高的刻蚀速率、良好的方向性和选择比而得以广泛运用。

2. 研究内容和预期目标

本论文调研氮化硅薄膜的具体应用和制备方法，并利用反应离子刻蚀法对氮化硅薄膜进行刻蚀和相关测试。具体要求如下：

1.通过调研了解氮化硅薄膜的制备方法和应用情况；

2.学习化学气相沉积法制备薄膜材料的原理和cvd设备的应用；

3.学习离子反应干法刻蚀设备的使用并对氮化硅薄膜材料进行刻蚀；

3. 研究的方法与步骤

方法：1.化学气相沉积法

2.离子反应干法刻蚀

1.调研氮化硅薄膜的制备方法和应用情况

4. 参考文献

1. 半导体物理学，刘恩科等，西安交通大学出版社，1998年10月第1版。

2．半导体制造技术，~ michael quirk (作者), julian serda (作者), 海潮和 (合著者), 徐秋霞 (合著者), 等 (合著者), 韩郑生 (译者)电子工业出版社; 第1版，2009年。

3.张晓情.氮化硅的刻蚀及其它应用[j],科技专论,2014,(15)370-371.

4.李煌, 李瑞伟, 王纪民, 付玉霞.氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量[j],微电子学,2005,35(1),11-14.

5. 计划与进度安排

第七学期 2022.11.19 与指导教师见面，听指导教师介绍毕业论文总体情况，并领取指导教师布置的查阅文献资料任务；

1周：1周 2022年2月22日-2月26日 领取指导教师下达毕业论文任务书，并且听指导教师讲授所选论文题目的状况和要求等；

2—3周： 2-3周 2022年2月29日-3月11日 自己完成开题报告，等待指导教师修改和审定自己论文开题报告；

4—15周：4-15周 2022年3月14日-6月5日 自己按照开题报告要求进行实验和测试工作，按要求撰写毕业论文；