1. 研究目的与意义
背景:自1998年开始，十万亿美金的销售量使电子工业成为全球最大规模的以半导体器件为基础的工业，而半导体材料的发展是影响半导体工业发展的重要因素。现在，伴随着微电子和材料学发展，宽禁带氧化物半导体材料受到了很大的重视，新型的半导体材料在传感器、紫外探测器、蓝紫外发光led/激光器、透明导电薄膜等领域有着巨大的发挥潜力。
氧化镍是一种新型的宽禁带氧化物半导体薄膜材料，室温下禁带宽度为3.15~4.0ev，比氧化锌材料还要大。在对氧化镍薄膜进行合适的掺杂后，其电导率和可见光透过率可以大幅提高，有望在液晶显示器透明电极、紫外光探测、电致变色、磁学材料等方面获得应用。由于氧化镍具有良好的化学和物理性质，近年来逐渐引起人们的广泛关注。磁控溅射方法是一种常见的制备薄膜的方法，可以广泛应用于金属薄膜介质薄膜半导体薄膜等方面的制备，具有操作简单、成本低廉、成膜速度快等优点。磁控溅射薄膜的质量受工艺参数影响较大，包括溅射功率、气体比例、沉积温度等。
目的：本课题主要学习研究氧化镍薄膜的制备方法和具体应用，熟悉磁控溅射设备的使用方法，学习如何利用磁控溅射法制备的氧化镍薄膜，研究比较在不同溅射功率、气体比例、沉积温度等条件下制备出来的氧化镍薄膜的结构性能，并研究在敏感气体氛围中氧化镍薄膜的电阻变化情况。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：
氧化镍是p型半导体材料，由于其良好的电学、光学、磁学性质以及热电性、耐化学腐蚀性，使得它成为广泛应用的氧化物材料之一，可以用于太阳能电池、电阻开关、电容器和气体传感器等。本课题要求学习氧化镍薄膜的具体应用和制备方法，利用磁控溅射法制备氧化镍薄膜，研究其结构性能，并研究在敏感气体氛围中电阻变化情况。
预期目标：
3. 研究的方法与步骤
1.通过调研，查找文献了解氧化镍薄膜的制备方法和应用情况；
2.学习反应磁控溅射法制备氧化镍薄膜的机理和注意事项；
3.操作磁控溅射设备制备氧化镍薄膜；
4. 参考文献
1.马海寒.磁控溅射制备ni0薄膜光电特性研究[d].长春理工大学. 2010
2.汤海鹰.nio薄膜的制备及其掺杂技术研究[d].长春理工大学，2011
5. 计划与进度安排
第七学期2022.11.26与指导老师见面，听取毕业论文总体情况，领取查阅文献资料任务；
第八学期：
1周 2022年2月25日-3月3日 查看毕业论文任务书，再次向指导老师请教所选论文题目的状况和要求等；
