1. 研究目的与意义
背景：近年来，新型光电材料mos2成为了二维材料领域非常热门的研究课题。由于石墨烯特殊的导电性质不适合制作二维器件，对于mos2这类适合制作器件的二维材料的研究显得尤为重要。我们选择此类材料作为研究对象，通过数值计算得到mos2和ws2的电子结构和光学性质，进行a位不同阳离子的比较研究。同时，我们还会考虑这类材料的厚度效应，即研究单层材料和多层以及块材物理性质的差异。
2. 研究内容和预期目标
研究内容：我们以mos2和ws2为原型，利用vasp软件对该结构进行弛豫，并给出电子结构和能带结构，并以此与文献中的两个材料进行比较，分析在能带结构中层间耦合以及层内耦合对该结构的电子学性质的巨大影响，并以此来研究二硫化配合物双层结构作为二维器件材料方面的突出优势。
任务要求：
（1）分别对mos2和ws2进行第一性计算，给出各自的电子结构、能带等。
3. 研究的方法与步骤
利用vasp软件对上面的结构进行第一性计算，然后对计算结果进行分析研究。
1.具体工作如下：
(1)构造计算必须的poscar，potcar,incar 和kpoints文件
4. 参考文献
1.scalise e,houssa m, pourtois g,afanas v v,stesmans a,first-principles study of strained 2d mos2, physica e 2014,56:416–421.
2.gao s y, yang l, and spataru c d, interlayer coupling and gate-tunable excitons in translation metal dichalcogenide heterostructures, nano lett.2017,17:7809-7813.
3.maniadaki a e, georgios kopidakis, ioannis n remediakis, strain engineering of electronic properties of transition metal dichalcognide monolayers, solid state communications 2016,227:33-39.
5. 计划与进度安排
(1)2022.2.25—2022.3.3指导教师与学生联系，学生根据要求收集资料
(2)2022.2.25—2022.3.3下达毕业任务书
(3)2022.2.25—2022.3.10学生完成开题报告
